低频脉冲电场对PC12细胞酪氨酸羟化酶和多巴胺合成的影响
房元章 余晓君 张红锋* 陈树德1
华东师范大学生命科学学院; 1华东师范大学物理系光谱与波谱学教育部重点实验室, 上海 200062
摘要 : 运用Western 印迹和HPLC分别测定不同时间电场刺激和刺激后不同培养时间条件下， PC12细胞内酪氨酸羟化酶(TH)和细胞培养液中多巴胺(DA)含量的变化。结果显示， 受到短时间(5、10 min)脉冲电场刺激的PC12 细胞， 经较短时间(2天)的培养后， 细胞内TH的含量和培养液中DA的含量均比对照组有所提高， 但随着培养时间的延长(3~5天)， TH和DA的含量均明显下降。然而， 长时间(15、20、30 min)脉冲电场刺激组则先表现为TH和DA的合成受到抑制， 但随着培养时间的延长， 其合成则被逐渐激活。采用蛋白激酶A (PKA)特异性抑制剂H-89和有丝分裂原活化蛋白激酶的激酶(MEK1/2)特异性抑制剂U0126， 研究脉冲电场刺激所激活的与TH和DA合成相关的信号通路。结果表明， 在没有神经生长因子(NGF)存在的情况下，PC12细胞主要通过PKA通路来激活TH的合成， 低频脉冲电场刺激也主要激活PKA通路， 因为抑制这条信号通路能显著抑制电场刺激所诱导的TH合成。
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